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暇つぶしに。

●ベースエミッタ間電圧(Vbe)
トランジスタには３本(B,C,E)の足がある。普通の動作状態ではVbeの電圧は約0.6Vになる。0.7Vと表現する人もいる。
この電圧はシリコントランジスタではすべてほぼ同じである。ゲルマニウムトランジスタは0.1Vらしい。トランジスタが
スイッチとして動作する場合は、Vbeは0V(OFF)か0.6V(ON)になる。
アンプのようなリニア動作の場合は、0.6V近辺におさまる。

●コレクタ電圧(Vc)
コレクタ電圧の決まり方は、３種類。（これ以外、見たことない）
１、電源電圧で強制的に固定する方法。(Vc=Vcc(電源電圧)、エミッタフォロワ。)
２、コレクタ電流とコレクタに接続されてる抵抗で決まる方法。(Vc=Vcc-IcR。差動回路とか。)
３、帰還回路によって固定される方法。(Vc=別のトランジスタのBにつながっていて、監視されてる。)

●電流増幅率(hfe)
hfe=100だとベース電流の100倍のコレクタ電流が流れる。
という説明はバツで、コレクタ電流の1/100の電流がベースに流れてしまう、というのがマル。
原因と結果を逆にとらえてはならない。